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參數資料
| 型號： | FDV301N |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Digital FET , N-Channel |
| 中文描述： | 220 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 97K |
| 代理商： | FDV301N |
FDV301N Rev.F
0
0.1
0.2
Q , GATE CHARGE (nC)
0.3
0.4
0.5
0.6
0
1
2
3
4
5
V
G
I = 0.2A
15V
V = 5V
DS
10V
0.5
1
2
5
10
15
25
35
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
V , DRAI N-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
DC
1s
100ms
10s
1ms
RDS(ON)LMIT
V = 2.7V
SINGLE PULSE
R = 357 °C/W
T = 25°C
JA
0
0.01
0.1
1
10
100
300
1
2
3
4
5
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R =357° C/W
T = 25°C
JA
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
.
0.1
0.5
1
2
5
10
25
1
2
3
5
10
20
30
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
Figure 8. Capacitance Characteristics
.
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Typical Electrical And Thermal Characteristics
0.0001
0.001
0.01
0.1
t , TIME (sec)
1
10
100
300
0.001
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
T
Duty Cycle, D = t /t
2
R (t) = r(t) * R
R = 357 °C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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