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參數(shù)資料
型號: FDW258P
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述: 9000 mA, 12 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: TSSOP-8
文件頁數(shù): 3/5頁
文件大小: 161K
代理商: FDW258P
FDW258P Rev. D (W)
Typical Characteristics
0
20
40
60
80
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
V
GS
= -4.5V
-3.5V
-2.5V
-2.0V
-1.8V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
20
40
60
80
-I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= - 1.8V
-4.5V
-3.0V
-3.5V
-2.5V
-2.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= -9A
V
GS
= - 4.5V
0.005
0.009
0.013
0.017
0.021
0.025
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
= -4.5A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
20
40
60
80
0.5
1
1.5
2
2.5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
,
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
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