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參數(shù)資料
型號: FDZ202P
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET
中文描述: 5.5 A, 20 V, 0.045 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: ULTRA THIN, BGA-12
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大小: 35K
代理商: FDZ202P
FDZ202P Rev. A (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
A) ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
B) NO JEDEC REGISTRATION REFERENCE AS
OF JULY 1999.
D
C
B
A
3
1
2
3
B
A
1
D
C
2
0.51
SEATING PLANE
0.65
1.95
0.40
0.65
1.30
C
SYMM
SYMMC
0.65
1.30
1.95
0.65
TOP VIEW
SIDE VIEW
FRONT VIEW
BOTTOM VIEW
RECOMMENDED LAND
PATTERN
INDEX SLOT
(HIDDEN)
INDEX
SLOT
SOLDER BALL
0.30
GATE
L
L
C
SOLDER BALL,
0.30
C
D
F
0.76
0.25
2.70
2.30
2.15
1.85
G
S
S
S
S
S
D
D
D
D
D
D
F
相關PDF資料
PDF描述
FDZ203N N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ204P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
FDZ206P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
FDZ208P P-Channel 30 Volt PowerTrench
FDZ209N 60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
FDZ202P_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ202P_Q 功能描述:MOSFET 20V/12V P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ203N 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ203N_Q 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ2040L 功能描述:電源開關 IC - 配電 N-Ch 60V 100A 3mOhm PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數(shù)量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
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