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參數資料
型號: FDZ203N
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
中文描述: 7.5 A, 20 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: ULTRA THIN, BGA-9
文件頁數: 3/6頁
文件大小: 208K
代理商: FDZ203N
FDZ203N Rev. E2 (W)
Dimensional Outline and Pad Layout
F
相關PDF資料
PDF描述
FDZ204P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
FDZ206P P-Channel 2.5V Specified PowerTrench
FDZ208P P-Channel 30 Volt PowerTrench
FDZ209N 60V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
FDZ2551N Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM BGA MOSFET
相關代理商/技術參數
參數描述
FDZ203N_Q 功能描述:MOSFET 20V/12V NCh MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ2040L 功能描述:電源開關 IC - 配電 N-Ch 60V 100A 3mOhm PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:Exar 輸出端數量:1 開啟電阻(最大值):85 mOhms 開啟時間(最大值):400 us 關閉時間(最大值):20 us 工作電源電壓:3.2 V to 6.5 V 電源電流(最大值): 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-5
FDZ204P 功能描述:MOSFET 20V/12V P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDZ204P_04 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V Specified PowerTrench BGA MOSFET
FDZ204P_Q 功能描述:MOSFET 20V/12V P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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