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參數資料
| 型號： | FDZ7296 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET |
| 中文描述： | 11 A, 30 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ULTRA THIN, BGA-18 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 218K |
| 代理商： | FDZ7296 |
FDZ7296 Rev B(W)
Typical Characteristics
0
5
10
15
20
0
0.5
1
1.5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
3.0V
3.5V
2.5V
V
GS
= 10.0V
6.0V
4.0V
4.5V
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
R
D
,
D
V
GS
= 3.0V
4.5V
4.0V
6.0V
3.5V
10.0V
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
R
D
,
I
D
= 11A
V
GS
= 10V
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
2
4
6
8
10
V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
,
I
D
=5.5 A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
5
10
15
20
1
1.5
2.5
3
3.5
4
V
GS
, G2
I
D
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
DS
= 5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
0.2
V
SD
, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I
S
,
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
V
GS
= 0V
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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