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參數資料

型號：	FF200R06KF
英文描述：	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL080HW048
中文描述：	晶體管\| IGBT的\|正陳\|雙\| 600V的五（巴西）國際消費電子展\| 200安培一（c）\|米：HL080HW048
文件頁數：	1/5頁
文件大小：	365K
代理商：	FF200R06KF

相關PDF資料	PDF描述
FF200R06KF2	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL080HD5.3
FF200R06KF3	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 1.2KV V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL080HD5.4
FF200R06KL	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL080HW048
FF200R06KL2	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C)
FF200R12KF	PHOTO MICROSENSOR

相關代理商/技術參數	參數描述
FF200R06KF2	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL080HD5.3
FF200R06KF3	制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
FF200R06KL	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| DUAL \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C) \| M:HL080HW048
FF200R06KL2	制造商:未知廠家制造商全稱:未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C)
FF200R06ME3	功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 200A RoHS:否制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:

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