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參數資料
| 型號： | FF200R06KL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL080HW048 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 600V的五（巴西）國際消費電子展| 200安培一（c）|米：HL080HW048 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 365K |
| 代理商： | FF200R06KL |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF200R06KL2 | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| FF200R12KF | PHOTO MICROSENSOR |
| FF200R12KF2 | PHOTO MICROSENSOR |
| FF200R12KL | PHOTO MICROSENSOR |
| FF200R33KF2V | PHOTO MICROSENSOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FF200R06KL2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| FF200R06ME3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R06YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R06YE3ENG | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF200R10KF2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 |
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