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參數資料
| 型號： | FF400R06KL2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 400A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 600V的五（巴西）國際消費電子展|四樓一（c） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | FF400R06KL2 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FF400R12KF1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL124HW114 |
| FF400R16KF1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.6KV V(BR)CES | 400A I(C) | M:HL124HW114 |
| FF400R17KF6CB2 | IGBT Module |
| FF401R17KF6CB2V | IGBT Module |
| FF4R12K4 | IGBT Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FF400R06ME3 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 400A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF400R07KE4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT Module 400A 650V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF400R07KE4_E | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| FF400R12KE3 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FF400R12KE3_B2 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 580A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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