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參數(shù)資料
型號: FF75R12KF2
英文描述: TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6
中文描述: 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五(巴西)國際消費(fèi)電子展| 75A條一(c)|米:HL093HD5.6
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代理商: FF75R12KF2
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FF75R12KL TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6
FS15R06KF TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 15A I(C)
FS15R10KF2 TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 15A I(C)
FS15R10KN TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 15A I(C)
FS25R06KF TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 25A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FF75R12KL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6
FF75R12RT4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF75R12YT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FF8 制造商:GAMEWELL-FCI 制造商全稱:GAMEWELL-FCI 功能描述:NAC Expander/Power Supply
FF80 功能描述:風(fēng)扇電線及配件 FILTER GRD 80MMX80MM RoHS:否 制造商:ebm-papst 類型:Finger Guard 適合風(fēng)扇大小:120 mm 系列:
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