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參數資料
| 型號： | FF75R12KL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1.2KV V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL093HD5.6 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 75A條一（c）|米：HL093HD5.6 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | FF75R12KL |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FF800R12KE3 | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 800A DUAL RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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