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參數資料
| 型號： | FS25R10KF2 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊| 3 - PH值大橋| 1KV交五（巴西）國際消費電子展|第25A一（c） |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | FS25R10KF2 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FS75R06KF | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 75A I(C) |
| FZ300R10KN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 |
| FD100R12KF-K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF100R10KN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF150R10KN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FS25R12KE3G | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS25R12KF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| FS25R12KF2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C) |
| FS25R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FS25R12NT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 40A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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