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參數資料
| 型號： | FZ300R10KN |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳|雙| 1KV交五（巴西）國際消費電子展| 300?一（c）|米：HL093HW048 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | FZ300R10KN |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FD100R12KF-K | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF100R10KN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 100A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF150R10KN | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 150A I(C) | M:HL093HW048 |
| FF75R06KF | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL080HD5.3 |
| FF75R06KF2 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | M:HL080HD5.3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FZ300R12KE3B1G | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 480A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ300R12KE3G | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FZ300R12KE3GS | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V 300A SINGLE RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FZ300R12KF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 |
| FZ300R12KF2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |
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