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參數資料
| 型號： | FGAF40N60UFD |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Ultrafast IGBT |
| 中文描述： | 40 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 583K |
| 代理商： | FGAF40N60UFD |
FGAF40N60UFD Rev. A
F
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
200
400
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800 1000
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10
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V
R
= 200V
I
F
= 15A
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C
= 25
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= 100
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di/dt [A/us]
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400
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V
R
= 200V
I
F
= 15A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
S
[
di/dt [A/us]
1
10
100
0
1
2
3
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
Forward Voltage Drop, V
F
Fig 19. Reverse Recovery Current
Fig 18. Forward Characteristics
Fig 20. Stored Charge
Fig 21. Reverse Recovery Time
200
400
600
800 1000
20
40
60
80
100
120
V
R
= 200V
I
F
= 15A
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
R
r
di/dt [A/us]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FGC4000BX-90DS | HIGH POWER INVERTER USE PRESS PACK TYPE |
| FGD3N60LSD | IGBT |
| FGD3N60LSDTF | IGBT |
| FGD3N60LSDTM | IGBT |
| FGH20N6S2D | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FGAF40N60UFTU | 功能描述:IGBT 晶體管 40A/600V/ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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| FGB.00.302.CLAD22Z | 制造商:LEMO connectors 功能描述:. |
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