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參數資料
| 型號： | FGB20N6S2DT |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
| 中文描述： | 28 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 9/9頁 |
| 文件大小： | 232K |
| 代理商： | FGB20N6S2DT |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| FGP20N6S2 | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
| FGB20N6S2 | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT |
| FGH30N6S2D | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FGB30N6S2D | 功能描述:IGBT 晶體管 Dl 600V Size 3 N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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