- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375799 > FJC1963 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) NPN Epitaxial Silicon Transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FJC1963 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | FJC1963 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, August 2002
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current (DC)
P
C
Power Dissipation(T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CEO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Value
50
30
6
3
0.5
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=50
μ
A, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=50
μ
A, I
C
=0
V
CE
=40V, V
B
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
V
CE
=2V, I
C
=0.5A
I
C
=1.5, I
B
=0.15A
I
C
=1.5, I
B
=0.15A
Min.
50
30
6
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
0.5
0.5
560
0.45
1.2
120
V
V
Q
R
S
120 ~ 270
180 ~ 390
280 ~ 560
FJC1963
Audio Power Amplifier Applications
Complement to FJC1308
High Collector Current
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
FCQ
Marking
h
FE
grade
1. Base 2. Collector 3. Emitter
SOT-89
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJC2098 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJC2383 | Color TV Audio Output & Color TV Vertical Deflection Output |
| FJC690 | Camera Strobe Flash Application |
| FJC790 | Camera Strobe Flash Application |
| FJD3076 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJC1963_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJC1963QTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJC1963QTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJC1963RTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJC1963RTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。