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參數資料
| 型號： | FJD3076 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | FJD3076 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. C1, December 2001
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation (T
a
=25
°
C)
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
f
T
Current Gain Bandwidth Product
Parameter
Value
40
32
5
2
1
10
150
- 55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= 1mA, I
B
= 0
I
C
= 50
μ
A
I
E
= 50
μ
A
V
CB
= 20V, I
E
= 0
V
EB
= 4V, I
C
= 0
V
CE
= 3V, I
C
= 0.5A
I
C
= 2A, I
B
= 0.2A
V
CE
= 5V, I
E
= -0.5A,
f = 100MHz
V
CB
= 10V, I
E
= 0A,
f = 1MHz
Min.
32
40
5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
1
1
390
0.8
130
0.5
100
V
MHz
C
ob
Output Capacitance
50
pF
FJD3076
Power Amplifier Applications
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
1. Base 2. Collector 3. Emitter
D-PACK
1
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