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參數(shù)資料
| 型號： | FJD3076 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 2000 mA, 32 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 47K |
| 代理商： | FJD3076 |
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. C1, December 2001
F
Dimensions in Millimeters
6.60
±
0.20
2.30
±
0.10
0.50
±
0.10
5.34
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0
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0
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±
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M
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1.02
±
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2.30
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(5.34)
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0.76
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0
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(
(
(
(
(
0
±
0
2.30TYP
[2.30
±
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2.30TYP
[2.30
±
0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
(0.50)
D-PAK
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| FJD3076TM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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