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參數資料
| 型號： | FJE3303H1 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Switch Mode Applications |
| 中文描述： | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | FJE3303H1 |
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FJE3303 Rev. B
1
www.fairchildsemi.com
F
FJE3303
High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
High Voltage Capability
High Switching Speed
Suitable for Electronic Ballast and Switching Regulator
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle
≤
10%
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
700
V
Collector-Emitter Voltage
400
V
Emitter-Base Voltage
9
V
Collector Current (DC)
1.5
A
Collector Current (Pulse) *
3
A
Base Current (DC)
0.75
A
Base Current (Pulse) *
1.5
A
Collector Dissipation (T
C
= 25
°
C)
Junction Temperature
20
W
150
°
C
°
C
Storage Temperature
-65 ~ 150
1
1. Emitter 2.Collector 3.Base
TO-126
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FJE3303TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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