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參數資料
| 型號： | FJE3303H1 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Switch Mode Applications |
| 中文描述： | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | FJE3303H1 |
2
www.fairchildsemi.com
FJE3303 Rev. B
F
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
h
FE
Classification
Classification
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max
Units
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
Collector-Base Breakdwon Voltage
I
C
= 500
μ
A, I
E
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
I
E
= 500
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 700V, I
E
= 0
V
EB
= 9V, I
C
= 0
V
CE
= 2V, I
C
= 0.5A
V
CE
= 2V, I
C
= 1.0A
I
C
= 0.5A, I
B
= 0.1A
I
C
= 1.0A, I
B
= 0.25A
I
C
= 1.5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 0.5A, I
B
= 0.1A
I
C
= 1.0A, I
B
= 0.25A
V
CE
= 10V, I
C
= 0.1A
V
CB
= 10V, f = 0.1MHz
V
CC
= 125V, I
C
= 1A
I
B1
= 0.2A, I
B2
= -0.2A
R
L
= 125
700
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
9
V
Collector Cut-off Current
10
μ
A
μ
A
Emitter Cut-off Current
10
DC Current Gain *
8
5
21
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.5
1.0
3.0
V
V
V
V
BE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
1.0
1.2
V
V
f
T
C
ob
t
ON
t
STG
t
F
Current Gain Bandwidth Product
4
MHz
Output Capacitance
21
pF
Turn On Time
1.1
μ
s
μ
s
μ
s
Storge Time
4.0
Fall Time
0.7
H1
H2
h
FE1
8 ~ 16
14 ~ 21
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJE3303H2 | High Voltage Switch Mode Applications |
| FJE3303 | High Voltage Switch Mode Applications |
| FJE5304D | High Voltage High Speed Power Switch Application |
| FJH1100 | Ultra Low Leakage Diode |
| FJH1101 | Ultra Low Leakage Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJE3303H1TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJE3303H2 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Silicon Transistor NPN Sil Xstr Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJE3303H2TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJE3303TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJE5304D | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Sil Transistor NPN Triple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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