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參數資料
| 型號： | FJD5304DTF |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Fast Switching Transistor |
| 中文描述： | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | FJD5304DTF |
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FJD5304D Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
FJD5304D
High Voltage Fast Switching Transistor
Features
Built-in Free Wheeling Diode
Wide Safe Operating Area
Small Variance in Storage Time
Suitable for Electronic Ballast Application
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: PW = 300
μ
s, Duty Cycle = 2% Pulsed
Package Marking and Ordering Information
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
STG
Collector-Base Voltage
700
V
Collector-Emitter Voltage
400
V
Emitter-Base Voltage
12
V
Collector Current (DC)
4
A
* Collector Current (Pulse)
8
A
Base Current (DC)
2
A
* Base Current (Pulse)
4
A
Collector Dissipation (T
C
= 25
°
C)
Junction Temperature
30
W
150
°
C
Storage Temperature
-55 ~ 150
°
C
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
J5304D
FJD5304DTM
D-PAK
13” Dia
-
2500
J5304D
FJD5304DTF
D-PAK
13” Dia
-
2000
C
B
E
Equivalent Circuit
1. Base 2. Collector 3. Emitter
D-PACK
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJD5304DTM | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJE3303H1 | High Voltage Switch Mode Applications |
| FJE3303H2 | High Voltage Switch Mode Applications |
| FJE3303 | High Voltage Switch Mode Applications |
| FJE5304D | High Voltage High Speed Power Switch Application |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJD5304DTM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJD5553 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJD5553TM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJD5555 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJD5555TM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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