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參數資料
| 型號： | FJD5304DTF |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Fast Switching Transistor |
| 中文描述： | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | FJD5304DTF |
4
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Reverse Biased Safe Operating Area
Figure 8. Power Derating Curve
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
Vcc=50V, L = 1mH
I
B1
=1A, I
B2
= -1A
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
P
C
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJD5304DTM | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJE3303H1 | High Voltage Switch Mode Applications |
| FJE3303H2 | High Voltage Switch Mode Applications |
| FJE3303 | High Voltage Switch Mode Applications |
| FJE5304D | High Voltage High Speed Power Switch Application |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJD5304DTM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJD5553 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJD5553TM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJD5555 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor |
| FJD5555TM | 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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