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參數(shù)資料
型號(hào): FJD5304DTF
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi): 功率晶體管
英文描述: High Voltage Fast Switching Transistor
中文描述: 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: DPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 2/6頁(yè)
文件大小: 176K
代理商: FJD5304DTF
2
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A
F
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max
Units
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
I
CEO
I
EBO
h
FE
Collector-Base Breakdown Voltage
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
I
E
= 1mA, I
C
= 0
V
CB
= 700V, I
E
= 0
V
CB
= 400V, I
B
= 0
V
EB
= 12V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
V
CE
= 5V, I
C
= 2.0A
I
C
= 0.5A, I
B
= 0.1A
I
C
= 1.0A, I
B
= 0.2A
I
C
= 2.5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 0.5A, I
B
= 0.1A
I
C
= 1.0A, I
B
= 0.2A
I
C
= 2.5A, I
B
= 0.5A
700
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
12
V
Collector Cut-off Current
100
μ
A
Collector Cut-off Current
250
μ
A
Emitter Cut-off Current
1
mA
DC Current Gain
10
8
40
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.7
V
1.0
V
1.5
V
V
BE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
1.1
V
1.2
V
1.3
V
t
STG
t
F
t
STG
t
F
Storage Time
V
CLAMP
=200V, I
C
=2.0A
I
B1
=0.4A, V
BE
(off)=-5V, L=200
μ
H
0.6
μ
s
Fall Time
0.1
μ
s
Storage Time
V
CC
=250V, I
C
=2.0A
I
B1
=0.4A, I
B2
=-0.4A, T
P
=30
μ
s
2.9
μ
s
Fall Time
0.2
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJD5304DTM High Voltage Fast Switching Transistor
FJE3303H1 High Voltage Switch Mode Applications
FJE3303H2 High Voltage Switch Mode Applications
FJE3303 High Voltage Switch Mode Applications
FJE5304D High Voltage High Speed Power Switch Application
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參數(shù)描述
FJD5304DTM 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Voltage Fast SWITCHING TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJD5553 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor
FJD5553TM 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJD5555 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Transistor
FJD5555TM 功能描述:兩極晶體管 - BJT High Volt Fast Switching Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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