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參數資料
| 型號： | FJD5304DTM |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Fast Switching Transistor |
| 中文描述： | 4 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | DPAK-3 |
| 文件頁數： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | FJD5304DTM |
2
www.fairchildsemi.com
FJD5304D Rev. A
F
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max
Units
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
I
CEO
I
EBO
h
FE
Collector-Base Breakdown Voltage
I
C
= 1mA, I
E
= 0
I
C
= 5mA, I
B
= 0
I
E
= 1mA, I
C
= 0
V
CB
= 700V, I
E
= 0
V
CB
= 400V, I
B
= 0
V
EB
= 12V, I
C
= 0
V
CE
= 5V, I
C
= 10mA
V
CE
= 5V, I
C
= 2.0A
I
C
= 0.5A, I
B
= 0.1A
I
C
= 1.0A, I
B
= 0.2A
I
C
= 2.5A, I
B
= 0.5A
I
C
= 0.5A, I
B
= 0.1A
I
C
= 1.0A, I
B
= 0.2A
I
C
= 2.5A, I
B
= 0.5A
700
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
12
V
Collector Cut-off Current
100
μ
A
Collector Cut-off Current
250
μ
A
Emitter Cut-off Current
1
mA
DC Current Gain
10
8
40
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.7
V
1.0
V
1.5
V
V
BE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
1.1
V
1.2
V
1.3
V
t
STG
t
F
t
STG
t
F
Storage Time
V
CLAMP
=200V, I
C
=2.0A
I
B1
=0.4A, V
BE
(off)=-5V, L=200
μ
H
0.6
μ
s
Fall Time
0.1
μ
s
Storage Time
V
CC
=250V, I
C
=2.0A
I
B1
=0.4A, I
B2
=-0.4A, T
P
=30
μ
s
2.9
μ
s
Fall Time
0.2
μ
s
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PDF描述 |
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參數描述 |
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