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參數資料
| 型號： | FJE3303H2 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage Switch Mode Applications |
| 中文描述： | 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | LEAD FREE, TO-126, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 70K |
| 代理商： | FJE3303H2 |
3
www.fairchildsemi.com
FJE3303 Rev. B
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Resistive Load Switching Time
Figure 6. Resistive Load Switching Time
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I
B
= 120 mA
I
B
= 40 mA
I
B
= 20 mA
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
1E-3
0.01
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
1
10
100
V
CE
= 2V
Ta = 25
o
C
Ta = 75
o
C
Ta = 125
o
C
Ta = - 25
o
C
h
F
,
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
Ta = 75
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = - 25
o
C
Ta = 125
o
C
I
C
= 4 I
B
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
Ta = 75
o
C
Ta = 25
o
C
Ta = - 25
o
C
Ta = 125
o
C
I
C
= 4 I
B
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
0.01
0.1
1
10
t
F
t
STG
I
B1
= - I
= 0.2A
V
CC
= 125V
t
S
F
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
0.01
0.1
1
10
t
F
t
STG
I
B1
= 120mA, I
B2
= - 40mA
V
CC
= 310V
t
S
F
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJE3303 | High Voltage Switch Mode Applications |
| FJE5304D | High Voltage High Speed Power Switch Application |
| FJH1100 | Ultra Low Leakage Diode |
| FJH1101 | Ultra Low Leakage Diode |
| FJH1102 | Ultra Low Leakage Diode |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJE3303H2TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJE3303TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 70 0V/1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJE5304D | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Sil Transistor NPN Triple Diff Planar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJE5304D_05 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJE5304DTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400V/4A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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