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參數資料
| 型號： | FJL4215 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Audio Power Amplifier |
| 中文描述： | 13 A, 230 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-264 |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 66K |
| 代理商： | FJL4215 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, December 2002
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25
°
C)
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
* Pulse Test : PW=20us
*h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
-230
-230
-5
-13
-1.5
150
150
- 50 ~ 150
Units
V
V
V
A
A
W
°
C
°
C
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(sat)
V
BE
(on)
f
T
C
ob
Parameter
Test Condition
I
C
=-5mA, I
E
=0
I
C
=-10mA, R
BE
=
∞
I
E
=-5mA, I
C
=0
V
CB
=-230V, I
E
=0
V
EB
=-5V, I
C
=0
V
CE
=-5V, I
C
=-1A
V
CE
=-5V, I
C
=-7A
I
C
=-8A, I
B
=-0.8A
V
CE
=-5V, I
C
=-7A
V
CE
=-5V, I
C
=-1A
V
CB
=-10V, f=1MHz
Min.
-230
-230
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
* DC Current Gain
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter On Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
-5.0
-5.0
160
55
35
60
-0.4
-1.0
30
360
-3.0
-1.5
V
V
MHz
pF
R
O
h
FE1
55 ~ 110
80 ~ 160
1.Base 2.Collector 3.Emitter
FJL4215
Audio Power Amplifier
High Current Capability I
C
= -15A)
High Power Dissipation
Wide S.O.A
Complement to FJL4315
1
TO-264
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