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參數資料
| 型號： | FJNS3207R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92S, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | FJNS3207R |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, August 2002
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Input On Voltage
Figure 3. Input Off Voltage
Figure 4. Power Derating
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
V
CE
= 5V
R
1
= 22K
R
2
= 47K
h
F
,
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
CE
= 0.3V
R
1
= 22K
R
2
= 47K
V
I
(
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
1
10
100
1k
10k
V
CE
= 5V
R
1
= 22K
R
2
= 47K
I
C
μ
A
V
I
(off)[V], INPUT OFF VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
50
100
150
200
250
300
350
400
P
C
[
T
a
[
o
C], AMBIENT TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| FJNS3208R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FJNS3207RBU_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/22K/47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS3207RTA | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS3208R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS3208RBU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/47K/22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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