- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375801 > FJNS4207R (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) PNP Epitaxial Silicon Transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FJNS4207R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-92S, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | FJNS4207R |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, August 2002
F
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Power Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
C
ob
Output Capacitance
Value
-50
-50
-10
-100
300
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -10
μ
A, I
E
=0
I
C
= -100
μ
A, I
B
=0
V
CB
= -40V, I
E
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -5mA
I
C
= -10mA, I
B
= -0.5mA
V
CB
= -10V, I
E
=0
f=1MHz
V
CE
= -10V, I
C
= -5mA
V
CE
= -5V, I
C
= -100
μ
A
V
CE
= -0.3V, I
C
= -2mA
Min.
-50
-50
Typ.
Max.
Units
V
V
μ
A
-0.1
68
-0.3
V
pF
5.5
f
T
V
I
(off)
V
I
(on)
R
1
R
1
/R
2
Current Gain-Bandwidth Product
Input Off Voltage
Input On Voltage
Input Resistor
Resistor Ratio
200
MHz
V
V
K
-0.4
-2.5
29
0.52
15
0.42
22
0.47
FJNS4207R
Switching Application
(Bias Resistor Built In)
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
Built in bias Resistor (R
1
=22K
, R
2
=47K
)
Complement to FJNS3207R
Equivalent Circuit
B
E
C
R1
R2
1.Emitter 2. Collector 3. Base
TO-92S
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJNS4208R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS4209R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS4210R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS4211R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS4212R | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJNS4207RBU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/22K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS4207RBU_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/22K 47K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS4207RTA | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJNS4208R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| FJNS4208RBU | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 50V/100mA/47K 22K RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。