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參數(shù)資料
型號(hào): FJP13009
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: DC Ammeter 20A 5-40V Pwr RoHS Compliant: Yes
中文描述: 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 3/5頁(yè)
文件大小: 48K
代理商: FJP13009
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, May 2003
F
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Reverse Bias Safe Operating Area
Figure 8. Power Derating
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
10
100
Vcc=50V,
I
B1
=1A, I
B2
= -1A
L = 1mH
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FJP3305 High Voltage Switch Mode Application
FJP3307D High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor
FJP3835 Power Amplifier
FJP5021 High Voltage and High Reliability
FJP5027 High Voltage and High Reliability
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FJP13009_07 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor
FJP13009H2 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700V/400V/12A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP13009H2TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJP13009H2TU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Leaded Process Compatible:Yes
FJP13009H2TU_F138 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO220 HI VOLTAGE SWITCH MODE APP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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