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參數資料
| 型號： | FJP13009 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | DC Ammeter 20A 5-40V Pwr RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 48K |
| 代理商： | FJP13009 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, May 2003
F
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Reverse Bias Safe Operating Area
Figure 8. Power Derating
10
100
1000
10000
0.01
0.1
1
10
100
Vcc=50V,
I
B1
=1A, I
B2
= -1A
L = 1mH
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
100
120
P
C
[
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJP3305 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJP3307D | High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor |
| FJP3835 | Power Amplifier |
| FJP5021 | High Voltage and High Reliability |
| FJP5027 | High Voltage and High Reliability |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FJP13009H2TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJP13009H2TU | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:; Leaded Process Compatible:Yes |
| FJP13009H2TU_F138 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO220 HI VOLTAGE SWITCH MODE APP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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