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參數資料
| 型號： | FJPF5021 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | High Voltage and High Reliability |
| 中文描述： | 5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | FJPF5021 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A, May 2003
Typical Characteristics
Figure 1. Static Characteristic
Figure 2. DC current Gain
Figure 3. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Switching Time
Figure 5. Base-Emitter On Voltage
Figure 6. Forward Bias Safe Operating Area
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
I
B
= 1.2A
I
B
= 1A
I
B
= 800mA
I
B
= 600mA
I
B
= 400mA
I
B
= 200mA
I
B
= 100mA
I
B
= 50mA
I
B
= 20mA
I
B
= 0
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0.01
0.1
1
10
1
10
100
V
CE
= 5V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
I
C
= 5 I
B
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
V
B
(
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
F
t
ON
t
STG
t
O
,
S
,
F
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
V
CE
= 5V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
50
μ
s
500
μ
s
1m
10m
DC
I
CP
(max)
I
C
(max)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJPF5027 | High Voltage and High Reliability |
| FJPF5321 | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJPF5555 | High Voltage Switch Mode Application |
| FJPF6806D | NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor |
| FJPF9020 | PNP Epitaxial Darlington Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJPF5021O | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800V/500V/5A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF5021OTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF5021R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 800V/500V/5A/NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF5021RTSTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJPF5021RTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Sil Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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