- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375802 > FJU1615 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) PNP Epitaxial Silicon Transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FJU1615 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 10000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | FJU1615 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A. February 2001
Typical Characteristics
Fig. 1 Static Characteristic
Fig. 3 DC Current Gain
Fig. 5 Base-Emitter Saturation Voltage
Fig. 2 Transfer Characteristic
Fig. 4 Collector-Emitter Saturation Voltage
Fig. 6 Output Capacitance
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-0
-5
-10
-15
-20
I
B
=-100mA
I
B
=-50mA
I
B
=-20mA
I
B
=-10mA
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
-0.1
-1
-10
-100
10
100
1000
T
c
=125
℃
75
℃
25
℃
V
CE
=-2.0V
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
/I
B
=80
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-0
-5
-10
-15
25
℃
75
℃
T
c
=125
℃
V
CE
=-2V
I
C
[
V
BE
[V], BASE-EMITTER VOLTAGE
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
/I
B
=40
I
C
/I
B
=80
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
0
100
200
300
400
500
V
CB
=-10V, I
E
=0
f=1MHz
C
o
[
V
CB
[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJU5304D | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJU5304DTU | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJV1845 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3101 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3101R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJU1615TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJU5304D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJU5304DTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJV1845 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV1845EMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。