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參數資料
| 型號： | FJU1615 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 中文描述： | 10000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | FJU1615 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
F
Rev. A. February 2001
Typical Characteristics
(Continued)
Fig. 7 Power Derating
Fig. 8 Forward Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
0.0
0.4
0.8
1.2
P
D
[
T
C
[
℃
], CASE TEMPERATURE
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
I
C(DC)
T
C
=25
℃
PW=100us
1ms
10ms
I
C(Pulse)
I
C
[
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJU5304D | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJU5304DTU | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJV1845 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3101 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3101R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJU1615TU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJU5304D | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJU5304DTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJV1845 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV1845EMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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