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參數資料
| 型號： | FJU5304D |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | High Voltage Fast Switching Transistor |
| 中文描述： | 高壓快速開關晶體管 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | FJU5304D |
3
www.fairchildsemi.com
FJU5304D Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Static Characterstic
Figure 2. DC Current Gain
Figure 3. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Base-Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Resistive Load Switching Time
Figure 6. Forward Biased Safe Operating Area
0
2
4
6
8
10
12
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I
B
=300mA
I
B
=150mA
I
B
=100mA
I
C
V
CE
[V]. COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
I
B
=50mA
0.01
0.1
1
10
1
10
100
T
C
= - 25
o
C
T
C
=25
o
C
h
F
,
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
T
C
=125
o
C
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
T
C
= - 25
o
C
T
C
=25
o
C
T
C
=125
o
C
V
C
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
I
C
= 5 I
B
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
T
C
= - 25
o
C
T
C
=25
o
C
T
C
=125
o
C
V
B
(
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
I
C
= 5 I
B
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
t
F
t
S
F
μ
s
I
C
[A], COLLECTOR CURRENT
V
CC
=250V
I
C
= 5 I
B1
= - 5 I
B2
t
STG
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1
μ
s
10
μ
s
Pulse I
C_MAX
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
T
C
= 25
Single Pulse
o
C
DC I
C_MAX
1ms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJU5304DTU | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJV1845 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3101 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3101R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3102 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJU5304DTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJV1845 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV1845EMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJV1845EMTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJV1845FMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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