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參數資料
型號: FJU5304D
廠商: Fairchild Semiconductor Corporation
英文描述: High Voltage Fast Switching Transistor
中文描述: 高壓快速開關晶體管
文件頁數: 4/6頁
文件大小: 152K
代理商: FJU5304D
4
www.fairchildsemi.com
FJU5304D Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Reverse Biased Safe Operating Area
Figure 8. Power Derating Curve
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
Vcc=50V, L = 1mH
I
B1
=1A, I
B2
= -1A
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
P
C
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關PDF資料
PDF描述
FJU5304DTU High Voltage Fast Switching Transistor
FJV1845 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3101 NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3101R NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV3102 NPN Epitaxial Silicon Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
FJU5304DTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV1845 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor
FJV1845EMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV1845EMTF_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJV1845FMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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