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參數(shù)資料
| 型號： | FJU5304D |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | High Voltage Fast Switching Transistor |
| 中文描述： | 高壓快速開關(guān)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | FJU5304D |
4
www.fairchildsemi.com
FJU5304D Rev. A
F
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Figure 7. Reverse Biased Safe Operating Area
Figure 8. Power Derating Curve
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
C
V
CE
[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
Vcc=50V, L = 1mH
I
B1
=1A, I
B2
= -1A
0
25
50
75
100
125
150
0
20
40
P
C
T
C
[
o
C], CASE TEMPERATURE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJU5304DTU | High Voltage Fast Switching Transistor |
| FJV1845 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3101 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3101R | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
| FJV3102 | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FJU5304DTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/ 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJV1845 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN Epitaxial Silicon Transistor |
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| FJV1845EMTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJV1845FMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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