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參數資料
| 型號： | FJX3011R |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Switching Application |
| 中文描述： | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | FJX3011R |
Package Dimensions
F
SOT-323
2.00±0.20
0.95±0.15
0.90
±0.10
3°
3°
0.135
1.25±0.10
2.10±0.10
0.10 Min
0.275±0.100
1.30±0.10
+0.04
–0.01
1.00±0.10
0.05–0.02
Dimensions in Millimeters
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A3, August 2002
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJX3012R | Switching Application |
| FJX3013R | Switching Application |
| FJX3014R | Switching Application |
| FJX3015R | Switching Application |
| FJX3904TF | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJX3011RTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJX3011RTF_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJX3012R | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Switching Application |
| FJX3012RTF | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| FJX3012RTF_Q | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
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