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參數資料
| 型號： | FJZ733 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Low Frequency Amplifier |
| 中文描述： | 150 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-623F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | FJZ733 |
F
Package Dimensions
Dimensions in Millimeters
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, July 2003
SOT-623F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FJZ945 | Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. |
| FK-130 | FK-130RH |
| FK-130SH-09450 | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| FK-130RH-09490 | FK-130RH |
| FK10KM-10 | CAP 1500PF 200V 1% NP0(C0G) AXIAL RAD.20 BULK S-MIL-PRF-20 STANDOFF |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJZ733GTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJZ733GTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJZ733LTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJZ733LTF_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJZ733OTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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