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參數資料
| 型號： | FJZ945 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC. |
| 中文描述： | 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-623F, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 217K |
| 代理商： | FJZ945 |
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, July 2003
F
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
T
C
=25
°
C unless otherwise noted
h
FE
Classification & Marking
Classification
h
FE
Marking
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Parameter
Value
60
50
5
150
100
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
f
T
C
ob
NF
Parameter
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
I
C
=10mA, I
B
=0
I
E
=10
μ
A, I
C
=0
V
CB
=40V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=6V, I
C
=1.0mA
I
C
=100mA, I
B
=10mA
V
CE
=6V, I
C
=10mA
V
CB
=6V, I
E
=0, f=1MHz
V
CE
=6V, I
C
=0.5mA
f=1KHz, R
S
=500
Min.
60
50
5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
μ
A
μ
A
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Current Gain Bandwidth Product
Output Capacitance
Noise Figure
0.1
0.1
700
0.3
40
0.15
300
2.5
4.0
V
MHz
pF
dB
Symbol
R
θ
JA
Parameter
Max.
1250
Units
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
O
Y
G
L
40 ~ 80
C2
70 ~ 140
C3
120 ~ 240
C1
200 ~ 400
C4
350 ~ 700
C5
FJZ945
Audio Frequency Amplifier & High
Frequency OSC.
Complement to FJZ733
Collector-Base Voltage : V
CBO
=60V
High Current Gain Bandwidth Product : f
T
=300MHz (Typ.)
1. Base 2. Emitter 3. Collector
C1
Marking
1
2
3
SOT-623F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FK-130 | FK-130RH |
| FK-130SH-09450 | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| FK-130RH-09490 | FK-130RH |
| FK10KM-10 | CAP 1500PF 200V 1% NP0(C0G) AXIAL RAD.20 BULK S-MIL-PRF-20 STANDOFF |
| FK10KM-12 | CAP 4700PF 100V 1% NP0(C0G) AXIAL RAD.20 BULK R-MIL-PRF-20 STANDOFF |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FJZ945GTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJZ945LTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJZ945OTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJZ945RTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FJZ945YTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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