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參數資料
型號: FJZ945
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC.
中文描述: 150 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-623F, 3 PIN
文件頁數: 3/5頁
文件大小: 217K
代理商: FJZ945
2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B1, July 2003
F
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 7. Current Gain Bandwidth Product
0.1
1
10
100
1
10
100
1000
V
CE
= 6V
f
T
[
I
C
[mA], COLLECTOR CURRENT
相關PDF資料
PDF描述
FK-130 FK-130RH
FK-130SH-09450 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FK-130RH-09490 FK-130RH
FK10KM-10 CAP 1500PF 200V 1% NP0(C0G) AXIAL RAD.20 BULK S-MIL-PRF-20 STANDOFF
FK10KM-12 CAP 4700PF 100V 1% NP0(C0G) AXIAL RAD.20 BULK R-MIL-PRF-20 STANDOFF
相關代理商/技術參數
參數描述
FJZ945GTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJZ945LTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/50V/150mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJZ945OTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJZ945RTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
FJZ945YTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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