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參數(shù)資料
| 型號： | FLC257MH-8 |
| 廠商： | FUJITSU LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | C-Band Power GaAs FET |
| 中文描述： | C BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, JFET |
| 封裝： | HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC, CASE MH, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | FLC257MH-8 |
2
FLC257MH-8
C-Band Power GaAs FET
OUTPUT POWER vs. INPUT POWER
VDS = +10V
IDS
≈
0.6 IDSS
f = 8.5 GHz
17 19 21 23 25 27
Input Power (dBm)
33
31
29
27
25
23
35
30
20
10
40
50
O
η
add
Pout
η
a
η
a
P1dB &
η
add vs. VDS
f=8.5 GHz
IDS
≈
0.6 IDSS
8
9
10
Drain-Source Voltage (V)
35
34
33
40
30
50
P
η
add
P1dB
POWER DERATING CURVE
DRAIN CURRENT
vs. DRAIN-SOURCE VOLTAGE
OUTPUT POWER
& IM3 vs. INPUT POWER
8
4
16
12
23
21
19
27
29
25
-30
-40
-50
-10
-20
0
Case Temperature (
°
C)
50 100 150 200
2
0
4
6
8
10
Drain-Source Voltage (V)
12 14 16 18 20
Input Power (S.C.L.) (dBm)
S.C.L.: Single Carrier Level
T
O
250
1000
D
750
500
I
VGS =0V
-0.5V
Pout
IM3
-1.5V
-2.0V
-1.0V
VDS=10V
f1 = 8.5 GHz
f2 = 8.51GHz
2-tone Test
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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