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參數資料
| 型號： | FLL600IQ-2C |
| 廠商： | SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. |
| 英文描述： | L-Band High Power GaAs FET |
| 中文描述： | L波段高功率GaAs場效應管 |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | FLL600IQ-2C |
2
FLL600IQ-2C
L-Band High Power GaAs FET
-50
ACP vs. OUTPUT POWER
35
37
36
38
39
40
41
42
43
44
34
36
35
37
Output Power (dBm)
38
39
40
41
42
43
44
-55
-60
-65
-45
-40
-35
-30
-25
Output Power (dBm)
A
VDS = 12V
IDS = 1.5A
fo = 2.14GHz
W-CDMA Single Signal
-5MHz
+5MHz
-10MHz
+10MHz
VDS = 12V
IDS = 1.5A
Wide Band Tuned
OUTPUT POWER vs. FREQUENCY
1.99 2.02
2.14
2.20 2.23
2.05
2.08 2.11
2.17
2.26 2.29
2.32
34dBm
38dBm
40dBm
32dBm
30dBm
28dBm
26dBm
24dBm
22dBm
34
36
38
40
42
44
46
48
50
Frequency (GHz)
-50
IMD vs. OUTPUT POWER
-55
-60
-65
-45
-40
-35
-30
I
VDS = 12V
IDS = 1.5A
f = 2.14GHz
f = 1MHz
Wide Band Tuned
+IM3
+IM5
OUTPUT POWER &
η
add vs. INPUT POWER
VDS =12V
IDS = 1.5A
f = 2.17GHz
Wide Band Tuned
20
24
28
32
36
40
Input Power (dBm)
O
O
η
add
Pout
η
a
40
42
44
46
48
28
30
32
34
36
38
50
40
20
30
10
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FLL600IQ-2 | Push-Pull Configuration, Broad Frequency Range: 800 to 2000 MHz, Suitable for class AB operation |
| FLL600IQ-3 | L-Band Medium & High Power GaAs FET |
| FLL810IQ-3C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLL810IQ-4C | L-Band High Power GaAs FET |
| FLLD261 | HIGH CONDUCTANCE LOW LEAKAGE DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FLL600IQ-3 | 制造商:SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc 功能描述:L-Band Power GaAs FET (48.0dBm@2.76GHz), Bulk |
| FLL800IQ-2C | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:L-Band High Power GaAs FET |
| FLL810IQ-3C | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| FLL810IQ-4C | 制造商:EUDYNA 制造商全稱:Eudyna Devices Inc 功能描述:L-Band High Power GaAs FET |
| FLLA1 | 制造商:CLULITE 功能描述:FLOOD-A-LITE SPOT LIGHT HEAD |
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