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參數資料
型號: FM150-N
廠商: 美麗微半導體有限公司
英文描述: Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type
中文描述: 肖特基二極管芯片-硅外延式龍門
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 71K
代理商: FM150-N
FM120-N THRU FM160-N
Features
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O Utilizing Flame
Retardant Epoxy Molding Compound.
For surface mounted applications.
Exceeds environmental standards of ML-S-19500 /
228
Low leakage current.
Mechanical data
Case : Molded plastic, JEDECSOD-323
Terminals : Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity : Indicated by cathode band
Mounting Position : Any
Weight : 0.04 gram
(V)
(V)
(V)
(V)
(
o
C)
FM120-N
12
20
14
20
FM130-N
13
30
21
30
FM140-N
14
40
28
40
FM150-N
15
50
35
50
FM160-N
16
60
42
60
SYMBOLS
MARKING
CODE
Operating
temperature
V
RRM
*1
V
RMS
*2
V
R
*3
V
F
*4
0.55
0.70
-55 to +125
-55 to +150
MAXIMUM RATINGS
(AT T
A
=25
o
C unless otherwise noted)
PARAMETER
CONDITIONS
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Forward rectified current
See Fig.1
I
O
1.0
A
Forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rate load (JEDEC methode)
I
FSM
30
A
V
R
= V
RRM
T
A
= 25
o
C
0.5
mA
V
R
= V
RRM
T
A
= 125
o
C
10
mA
Thermal resistance
Junction to ambient
R
q
JC
90
o
C / w
Diode junction capacitance
f=1MHz and applied 4vDC reverse voltage
C
J
120
pF
Storage temperature
T
STG
-55
+150
o
C
Reverse current
I
R
*1 Repetitive peak reverse voltage
*2 RMS voltage
*3 Continuous reverse voltage
*4 Maximum forward voltage
Chip Schottky Barrier Diodes
Silicon epitaxial planer type
Formosa MS
0.012(0.3) Typ.
0.035(0.9) Typ.
0.035(0.9) Typ.
Dimensions in inches and (millimeters)
SOD-323
0.106 (2.7)
0.090 (2.3)
0.053 (1.35)
0.045 (1.15)
0.044 (1.1)
0.035 (0.9)
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PDF描述
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FM150W-W 功能描述:整流器 1A 50V Schottky RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
FM151 制造商:LUGUANG 制造商全稱:Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 功能描述:1.5A Surface Mount General Purpose Rectifiers
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