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參數資料
| 型號： | FM150-N |
| 廠商： | 美麗微半導體有限公司 |
| 英文描述： | Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
| 中文描述： | 肖特基二極管芯片-硅外延式龍門 |
| 文件頁數： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | FM150-N |
0.1
1.0
.01
10
50
RATING AND CHARACTERISTIC CURVES (FM120-N THRU FM160-N)
FIG.1-TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVE
AVERAGE FORWARD CURRENT,(A)
FIG.4-TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
REVERSE VOLTAGE,(V)
JUNCTION CAPACITANCE,(pF)
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A)
FORWARD VOLTAGE,(V)
Pulse Width 300us
1% Duty Cycle
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
350
300
250
200
150
100
50
0
.01 .05 .1 .5 1 5 10 50 100
.1 .3 .5 .7 .9 1.1 1.3 1.5
3.0
.1
1.0
10
100
FIG.5 - TYPICAL REVERSE
CHARACTERISTICS
REVERSE LEAKAGE CURRENT, (mA)
0 20 40 60 80 100 120 140
.01
Tj=75 C
FM120-N~FM140-N
FM150-N~FM160-N
FM150-M~FM160-M
FM120-M~FM140-M
Tj=25 C
Tj=25 C
AMBIENT TEMPERATURE,( C)
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
FIG.2-TYPICAL FORWARD
CHARACTERISTICS
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,(%)
FIG.3-MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
0
12
6
18
30
24
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
1
10
5
50
100
Tj=25 C
8.3ms Single Half
Sine Wave
JEDEC method
PEAK FORWARD SURGE CURRENT,(A)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FM160-N | Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type |
| FM150-M | Silicon epitaxial planer type |
| FM130-M | Silicon epitaxial planer type |
| FM180-M | Silicon epitaxial planer type |
| FM1100-M | Silicon epitaxial planer type |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FM150W-W | 功能描述:整流器 1A 50V Schottky RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| FM151 | 制造商:LUGUANG 制造商全稱:Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 功能描述:1.5A Surface Mount General Purpose Rectifiers |
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