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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FM2G150US60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, 7PM-BB, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大小： | 687K |
| 代理商： | FM2G150US60 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FM2G150US60 Rev. A1
F
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
℃
300A
150A
I
C
= 80A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
℃
300A
150A
I
C
= 80A
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0.1
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
C
= 100
℃
Power Dissipation = 200W
V
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [Khz]
L
0
30
60
90
120
150
0
1
2
3
4
5
300A
150A
I
C
= 80A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
Case Temperature, T
C
[
℃
]
0.3
1
10
20
0
50
100
150
200
250
300
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
2
4
6
8
0
40
80
120
160
200
240
280
320
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
℃
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FM2G200US60 | B&K 4012A REFURBISHED BY NEWARK SERVICES |
| FM2G300US60 | Sweep Function Generator; Bandwidth Max:12MHz; Frequency Max:12MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:Sine, Square, Triangle, Ramp, Pulse RoHS Compliant: NA |
| FM2G400US60 | Signal Generator; Bandwidth Max:10MHz; Sweep Rate Range:100:1 lin/log; Sweep Time Range:0.5 Sec to 30 Sec; Accuracy:20Hz to 100kHz ( 3%)<Linebreak/>; 120/150kHz ( 5%); Battery Size Code:9V; Frequency Max:5MHz; Frequency Min:0.2Hz |
| FM3104-S | Integrated Processor Companion with Memory |
| FM3116-S | Integrated Processor Companion with Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FM2G200US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FM2G300US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FM2G400US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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| FM2G75US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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