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參數(shù)資料
| 型號： | FM2G150US60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 150 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, 7PM-BB, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 687K |
| 代理商： | FM2G150US60 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FM2G150US60 Rev. A1
F
Package Dimension
7PM-BB (FS PKG CODE BE)
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FM2G200US60 | B&K 4012A REFURBISHED BY NEWARK SERVICES |
| FM2G300US60 | Sweep Function Generator; Bandwidth Max:12MHz; Frequency Max:12MHz; Frequency Min:0.1Hz; Waveforms:Sine, Square, Triangle, Ramp, Pulse RoHS Compliant: NA |
| FM2G400US60 | Signal Generator; Bandwidth Max:10MHz; Sweep Rate Range:100:1 lin/log; Sweep Time Range:0.5 Sec to 30 Sec; Accuracy:20Hz to 100kHz ( 3%)<Linebreak/>; 120/150kHz ( 5%); Battery Size Code:9V; Frequency Max:5MHz; Frequency Min:0.2Hz |
| FM3104-S | Integrated Processor Companion with Memory |
| FM3116-S | Integrated Processor Companion with Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FM2G200US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FM2G300US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FM2G400US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FM2G50US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FM2G75US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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