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參數(shù)資料
| 型號： | FM2G200US60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | B&K 4012A REFURBISHED BY NEWARK SERVICES |
| 中文描述： | 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, 7PM-BB, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 701K |
| 代理商： | FM2G200US60 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FM2G200US60 Rev. A1
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
--
--
--
--
Typ.
1.9
1.8
90
130
19
25
855
1625
Max.
2.8
--
130
--
25
--
1600
--
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 200A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 200A
di / dt = 400 A/us
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery
Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
CS
Weight
Parameter
Typ.
--
--
0.03
--
Max.
0.15
0.35
--
270
Units
°
C
/
W
°
C
/
W
°
C
/
W
g
Junction-to-Case (IGBT Part, per 1/2 Module)
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/2 Module)
Case-to-Sink (Conductive grease applied)
Weight of Module
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FM3104-S | Integrated Processor Companion with Memory |
| FM3116-S | Integrated Processor Companion with Memory |
| FM31256-S | Integrated Processor Companion with Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| FM2G400US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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| FM2-LAIRD | 制造商:Laird Technologies Inc 功能描述:ANTENNA HARDWARE/ACCESSORY |
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