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參數資料
| 型號： | FMBS5551 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN General Purpose Amplifier |
| 中文描述： | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SUPERSOT-6, 6 PIN |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 90K |
| 代理商： | FMBS5551 |
SuperSOT
TM
-6
Package Dimensions
F
Dimensions in Millimeters
Rev. A1, November 2004
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMBSA06 | NPN General Purpose Amplifier |
| FMBSA56 | PNP General Purpose Amplifier |
| FMBT3906 | PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| FMC2122C6-03 | Ku K-Brand Power GaAs Modules |
| FMC2122LN-03 | Ku K-Brand Power GaAs Modules |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMBSA06 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Amplifier PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMBSA56 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Amplifier PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMBSS84 | 制造商:FORMOSA 制造商全稱:Formosa MS 功能描述:50V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| FMBT1015 | 制造商:FCI 制造商全稱:First Components International 功能描述:PNP Epitaxial Planar Transistor Collector - Emitter Voltage VCEO |
| FMBT1815 | 制造商:FCI 制造商全稱:First Components International 功能描述:NPN Epitaxial Planar Transistor Collector - Emitter Voltage VCEO |
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