- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382962 > FMC6A (Rohm CO.,LTD.) Power management (dual digital transistors) PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FMC6A |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power management (dual digital transistors) |
| 中文描述： | 電源管理（雙）數字晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 36K |
| 代理商： | FMC6A |
(94S-830-AC115E)
(96-458-AC124T)
575
Transistors
FMC6A
IMD1A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMD40-06KC | HiPerFET Power MOSFETs -Boost Chopper Topology in ISOPLUS i4-PAC |
| FMD80-0045PS | Chopper with Trench Power MOSFET and Schottky Diode |
| FMG11A | Emitter Common (Dual Digital Transistors)(公共發射級(雙數字晶體管)) |
| FMG13 | General Purpose(Dual Transistors)(通用(雙晶體管)) |
| FMG1A | General Purpose(Dual Digital Transistor)(通用(雙數字晶體管)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMC6AT148 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:TRANS DIGITAL BJT NPN/PNP 100MA 5-PIN SMT T/R - Tape and Reel 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Trans Digital BJT NPN/PNP 100mA |
| FMC6G10US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMC6G15US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMC6G20US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMC6G30US60 | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。