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參數資料
| 型號： | FMG1G100US60H |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | PLASTIC, 7PM-GA, 7 PIN |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 663K |
| 代理商： | FMG1G100US60H |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG1G100US60H Rev. A
F
Electrical Characteristics of DIODE
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
--
--
--
--
--
--
--
--
Typ.
1.9
1.8
90
130
9
12
405
780
Max.
2.8
--
130
--
12
--
790
--
Units
V
FM
Diode Forward Voltage
I
F
= 100A
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
T
C
= 25
°
C
T
C
= 100
°
C
V
t
rr
Diode Reverse Recovery Time
I
F
= 100A
di / dt = 200 A/us
ns
I
rr
Diode Peak Reverse Recovery
Current
A
Q
rr
Diode Reverse Recovery Charge
nC
Symbol
R
θ
JC
R
θ
JC
R
θ
CS
Weight
Parameter
Typ.
--
--
0.05
--
Max.
0.31
0.7
--
190
Units
°
C
/
W
°
C
/
W
°
C
/
W
g
Junction-to-Case (IGBT Part, per 1/2 Module)
Junction-to-Case (DIODE Part, per 1/2 Module)
Case-to-Sink (Conductive grease applied)
Weight of Module
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMG1G100US60L | Molding Type Module |
| FMG1G50US60 | Molding Type Module |
| FMG1G50US60H | Molding Type Module |
| FMG1G50US60L | Molding Type Module |
| FMG1G75US60H | Molding Type Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMG1G100US60L | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/100A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG1G150US60H | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG1G150US60L | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG1G200US60H | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG1G200US60L | 功能描述:IGBT 模塊 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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