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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FMG1G50US60 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 成型型模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大小： | 627K |
| 代理商： | FMG1G50US60 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG1G50US60H Rev. A
F
0
10
20
30
40
50
2
10
20
5
Common Cathode
di/dt = 100A/
T
C
= 25
℃
T
C
= 100
℃
I
rr
T
rr
P
R
Forward Current, I
F
[A]
Fig 20. Reverse Recovery Characteristics
Fig 19. Forward Characteristics
0
1
2
3
4
0
40
80
120
160
Common Cathode
V
GE
= 0V
T
C
= 25
℃
T
C
= 125
℃
F
Forward Voltage, V
F
[V]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMG1G50US60H | Molding Type Module |
| FMG1G50US60L | Molding Type Module |
| FMG1G75US60H | Molding Type Module |
| FMG1G75US60L | Molding Type Module |
| FMG2G100US60 | Molding Type Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMG1G50US60H | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/50A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG1G50US60L | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/50A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG1G75US60H | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/75A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG1G75US60L | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/75A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG-2 | 制造商:ESSENTRA COMPONENTS 功能描述:FAN MNT GASKET COMBO BLACK 80MM |
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