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參數資料
型號: FMG1G50US60L
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Molding Type Module
中文描述: 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: PLASTIC, 7PM-GA, 7 PIN
文件頁數: 4/9頁
文件大小: 627K
代理商: FMG1G50US60L
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG1G50US60H Rev. A
F
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Saturation Voltage
Characteristics
Fig 3. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
Fig 4. Load Current vs. Frequency
Fig 5. Saturation Voltage vs. V
GE
Fig 6. Saturation Voltage vs. V
GE
0
2
4
6
8
0
20
40
60
80
100
120
140
20V
12V
15V
V
GE
= 10V
Common Emitter
T
C
= 25
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
1
10
0
20
40
60
80
100
120
140
Common Emitter
V
GE
= 15V
T
C
= 25
━━
T
C
= 125
------
C
C
Collector - Emitter Voltage, V
CE
[V]
-50
0
50
100
150
0
1
2
3
4
5
50A
100A
I
C
= 30A
Common Emitter
V
GE
= 15V
C
C
Case Temperature, T
C
[
]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 25
100A
50A
I
C
= 30A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
Common Emitter
T
C
= 125
100A
50A
I
C
= 30A
C
C
Gate - Emitter Voltage, V
GE
[V]
0
10
20
30
40
50
60
1
10
100
1000
Duty cycle : 50%
T
= 100
Power Dissipation = 70W
V
= 300V
Load Current : peak of square wave
Frequency [KHz]
L
相關PDF資料
PDF描述
FMG1G75US60H Molding Type Module
FMG1G75US60L Molding Type Module
FMG2G100US60 Molding Type Module
FMG2G150US60E Molding Type Module
FMG2G150US60 Molding Type Module
相關代理商/技術參數
參數描述
FMG1G75US60H 功能描述:IGBT 晶體管 600V/75A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
FMG1G75US60L 功能描述:IGBT 晶體管 600V/75A/Module RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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