- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375859 > FMG2G100US60 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Molding Type Module PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FMG2G100US60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Molding Type Module |
| 中文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | 7PM-GA, 7 PIN |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 635K |
| 代理商： | FMG2G100US60 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
FMG2G100US60 Rev. A
F
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1E-3
0.01
0.1
1
T
= 25
℃
IGBT :
DIODE :
T
℃
/
Rectangular Pulse Duration [sec]
1
10
100
1000
1
10
100
Safe Operating Area
V
GE
= 20V, T
C
= 100
o
C
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0.3
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
500
Single Nonrepetitive
Pulse T
C
= 25
℃
Curves must be derated
linerarly with increase
in temperature
50us
100us
1
DC Operation
I
C
MAX. (Continuous)
I
C
MAX. (Pulsed)
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
0
100
200
300
400
500
0
3
6
9
12
15
200 V
V
CC
= 100 V
300 V
Common Emitter
R
L
= 3
T
C
= 25
℃
G
Gate Charge, Qg [ nC ]
0
100
200
300
400
500
600
700
0.1
1
10
100
600
Single Nonrepetitive
Pulse T
J
≤
125
℃
V
GE
= 15V
R
G
= 2.4
C
Collector-Emitter Voltage, V
CE
[V]
Fig 14. Gate Charge Characteristics
Fig 13. Switching Loss vs. Collector Current
Fig 15. SOA Characteristics
Fig 16. Turn-Off SOA Characteristics
Fig 17. RBSOA Characteristics
Fig 18. Transient Thermal Impedance
20
40
60
80
100
120
140
100
1000
10000
Eoff
Eon
Common Emitter
V
CC
= 300V, V
GE
= +/- 15V
R
G
= 2.4
T
C
= 25
T
C
= 125
0
C
0
C
S
Collector Current, I
C
[A]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMG2G150US60E | Molding Type Module |
| FMG2G150US60 | Molding Type Module |
| FMG2G200US60 | Molding Type Module |
| FMG2G300LS60E | Molding Type Module |
| FMG2G300US60E | Molding Type Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FMG2G100US60_Q | 功能描述:IGBT 晶體管 600V/100A/2 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG2G150US120 | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| FMG2G150US60 | 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G150US60E | 功能描述:IGBT 模塊 600V/150A/Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FMG2G200US60 | 功能描述:IGBT 模塊 Molding Type Module RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。